MOS管分NMOS和PMOS，我们比较常用的是NMOS。
MOS管的三个脚之间都存在寄生电容，在电路设计时需要注意。
根据PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是由于PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率，大功率仍然使用NMOS管。
根据NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以，漏极D接电源，源极S接地。需要注意Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当D与S导通时，D与S电势相等，那么G必须高于S和D电压，D与S才能继续导通。
导通条件：Vgs＞Vth，R1、R2是为了给G、S之间创造一个Vgs电压，不需要去关心G、D之间的电压关系（只要没有达到击穿电压）。另外S极不一定需要接地，只需要满足Vg与Vs之间的一个电势差大于Vth，MOS管依然能够起到一个开关作用。
注意事项：
1、注意IO口的最大驱动峰值电流，不同芯片的IO口驱动能力不一样。
2、如果MOS管寄生电容值较大，导通需要的能量越大，如果IO口的输出电流峰值较小，管子导通就相对较慢。
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