单片机的I/O口虽然有一定的带负载能力，但电流很小，通常在10-20mA以内。对于较大功率的负载（如电机、继电器等），单片机的I/O口无法提供足够的电流，直接驱动可能会导致单片机损坏。因此可通过外部驱动电路（如三极管或MOS管）来提升电压。
单片机I/O口驱动，为什么通常优先选择三极管而不是MOS管？
三极管是电流控制型器件，其基极驱动电压只需高于0.7V（Ube）即可导通。单片机的I/O口电压通常为3.3V，足以驱动三极管进入饱和区。
MOS管是电压控制型器件，其驱动电压必须高于阈值电压（Vgs(TH)），通常为3-5V。对于3.3V供电的单片机，驱动电压可能不足，导致MOS管无法完全导通或处于半导通状态，内阻增大，功耗增加。
举例说明：
驱动三极管：3.3V电压肯定高于Ube，只需要在基极串联一个电阻，让三极管工作在饱和区。Ib=（VIN-0.7V）/R2。
驱动MOS管：MOS管的饱和电压高于3.3V，如果用3.3V直接驱动，MOS管有可能半导通或无法导通。在半导通状态下，MOS管内阻很大，可以驱动小电流负载。若是大电流负载，因为内阻大，功耗就大，MOS管很容易就烧坏。MOS管需要额外的电路确保其工作，如栅极保护电路。
三极管电路设计简单，成本相对较低，因此单片机I/O口驱动通常采用三极管。
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