1.EFR32FG1P131F主要特点
32 位 ARM® Cortex®-M4 内核，最高工作频率为 40 MHz
提供可扩展存储器和射频配置选项，使用兼容多种引脚的 QFN 封装
12 信道外围设备反射系统，可实现 MCU外围设备的自主交互
自主硬件加密加速器和随机数生成器
20 dBm Sub-GHz 无线电的发射功率
集成直流到直流，带有 RF 噪声消减功能
成都亿佰特电子科技有限公司生产的E76-433M20S采用silicon labs公司原装进口EFR32FG1P131F256GM48射频芯片，该无线SoC芯片使用ARM Cortex-M4内核+高性能射频收发器，最高工作频率为 40 MHz，支持Sub-G频段，且内部集成PA放大器，最大支持输出功率是20dBm。有兴趣的朋友可以了解一下。
2.E76-433MS20特点
支持二次开发。模块引出单片机所有IO口，可进行多方位的开发。
体积小（16 * 26*0.8mm）, 易于植入客户产品。
频段范围：420~450MHz
宽电压：1.85 ~ 3.8V DC
发射功率：20dBm
6．休眠电流 < 1uA
灵敏度-118dBm@4.8Kbps
低能耗 UART
远距离1500米
2.1 应用范围
•住宅和建筑自动化及安全
•测量
•电子货架标签
•工业自动化
•商业和零售照明和感应
3.EFR32FG1P131F典型的连接图
3.1 电源
EFR32FG1有一个能量管理单元(EMU)和高效的集成调节器来产生内部供电电压。一种可选的dc - dc降压调节器可以用于进一步减少电流消耗。dc - dc电源模块调节器需要一个外部电感器和一个外部电容器。AVDD和VREGVDD需要1.85 V或更高，以便MCU在所有条件下运行;然而，系统的其余部分将运行到1.62 V，包括数字电源和I / O。这意味着该设备与1.8 V组件完全兼容。从足够高的供应中运行，该装置可以使用DC - DC来调节电压。
图1 典型应用电路:无dc - dc转换器的直接供应配置
图2 典型应用电路:dc - dc转换器的配置(VDCDC的PAVDD)
3.2 射频匹配网络
图3 165-450MHz射频匹配网络
图4 450-915MHz射频匹配网络
3.3 概述
在EFR32 RFIC中，sub - G LNA和PA电路是完全差分的，在芯片内部没有捆绑在一起。因此在RFIC上总共需要4个引脚，以提供对LNA和PA电路的访问: SUBGRF_OP/ ON用于TX输出，以及SUBGRF_IP /用于RX输入。这四引脚是相邻的，如图5所示sub-G发送和接收功能引脚位置。
图5 sub-G发送和接收功能引脚位置
3.4 sub-G射频匹配网络的总体拓扑结构
RF匹配网络由以下几个模块组成:
•低通滤波器部分(用于抑制TX模式下的谐波和杂散排放)。
•一个balun(提供一个单端到微分转换函数)。
•阻抗变换部分(为RFIC的TX和RX引脚提供正确的阻抗)
图6 射频匹配的通用拓扑
RFIC(SUBGRF_OP / ON)的TX引脚必须提供vdd供电电压。许多商业上Balun都需要提供直流电压，如上图所示。如果不使用balun芯片，有必要通过一对高值的DC拉升电感向TX引脚提供直流电压。
3.5 低通滤波器
低通滤波器网络的设计目的是使TX谐波满足一些认证需求(例如FCC、ETSI或ARIB)，低通滤波器的拓扑结构如下图所示。
图7 低通滤波器的拓扑结构
表1 不同频率下低通滤波器元器件的值
