场效应管（FET）是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，又称为单极型晶体管。场效应管主要由栅极、漏极和源极三个电极组成。场效应管主要有两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
N沟道结型场效应管：在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区，形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，为栅极（G）。在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（S）和漏极（D）。P区与N区的交界面形成耗尽层（不导电），漏-源之间的非耗尽层区域称为导电沟道（导电）。P沟道与之类似。
绝缘栅型场效应管：以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表面覆盖一层绝缘物（如二氧化硅），然后再用金属铝引出一个电极G（栅极），栅极与其它电极绝缘。通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成导电沟道。
场效应管的工作原理用一句话概括，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用栅极与沟道间的PN结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更准确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，是由PN结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的。
今天的分享就到这里啦，EBYTE每一天都致力于更好的助力物联化、智能化、自动化的发展，提升资源利用率，更多无线数传模块产品和物联网技术应用资料，感兴趣的小伙伴可以登录我们的亿佰特官网和企业公众号（微信号：cdebyte）进行了解，也可以直接拨打400电话咨询技术专员！
相关阅读：
