硅管由硅制成，硅的结晶度高，热容量较大，能承受更高的工作温度，稳定性更强；而锗管由锗制成，其导电性比硅差，热容量较小，散热效果相对较差，在高温下容易发生本征电流增大的现象，影响器件性能。硅管的PN结正向工作温度可达150~ 200℃，而锗管只能在100℃左右的范围内使用。
硅管的导通电压约为0.6~0.7V，锗管的导通电压通常在0.2~0.3V，锗管的导通电压更低。在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管，锗管的反向饱和电流比硅管大几十甚至几百倍。硅管的反向击穿电压通常在几百伏以上，而锗管的反向击穿电压通常在几十伏以内。
硅二极管适用高频电路，具有快速开关特性；锗二极管适合低频放大电路。成本方面，硅管的成本相对较低。
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