MOS管防反接电路设计优先选择NMOS管。NMOS管一般用下管，PMOS管用上管。
当电源的输入接法正确时，NMOS管的G极输入高电平时候，VGS大于0，此时MOS管导通，电路能够正常工作。当输入的电源反接时，G极输入电平低，VGS小于0，NMOS管截止，NMOS管的D极和S极无电流通过，且体二极管的方向与电流输入方向相反，此时NMOS管断路，当电源反接时从而保护后级电路。
NMOS管防反接电路优点：导通电阻更小，功耗更低，成本较低。
NMOS管防反接电路缺点：电路结构复杂；输入电压较高时，需要适当改变G极串并联电阻阻值，或者在GS间并入稳压二极管来保护MOS管。
如图是一个传统的PMOS防反接电路，R1是限流电阻，Rg用来缓冲电压。PMOS管导通时，体内的二极管被短路，此时MOS管的D极和S极电压相等，电源正常接入时，LED被点亮，当电源反接（即VIN输入负电压），GND接入正极，此时VGS大于0，PMOS管截止。当G、S两端电压过高，二极管就会被反向击穿，在一定的反向电流内，反向电压不会随反向电流发生变化，当输入电压过高，二极管损坏，造成MOS管损坏，从而保护电路。
PMOS管防反接电路优点：无需额外驱动芯片，适合简单电路。
PMOS管防反接电路缺点：成本相对较贵；电路存在反灌电流，输入电压跌落时，PMOS依旧保持畅通，可能会导致系统电源中断。
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