MOS管的米勒效应主要源于其内部的寄生电容，尤其是栅极（G）与漏极（D）之间的寄生电容Cgd，也称为米勒电容。
输入电容Ciss=Cgs+Cgd，
输出电容Coss=Cgd+Cds
在MOS管的开关过程中，米勒电容会在栅极和漏极之间形成负反馈，导致栅极电压在一段时间内保持不变，形成所谓的“米勒平台”。
t0—t1阶段：MOS处于截止区；
t1—t2阶段：MOS进入了饱和区；
t2—t3阶段：进入米勒平台；
t3~t4阶段：Vgs电压继续上升，直至MOS管完全导通。
当MOS管开始导通时，漏极电压Vds开始下降，通过米勒电容Cgd，栅极电压Vgs会被拉低，从而形成一个电压平台。在这个阶段，栅极电压几乎不变，直到米勒电容充满电。米勒效应会延长MOS管的开关时间，增加开关损耗，尤其在高频应用中，会导致效率降低和热量增加。但通过增加栅极电阻和漏极与栅极之间的电容，可以延长米勒平台，实现电源的缓启动。
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