半导体器件（尤其是二极管）在反向偏置条件下会发生三种不同类型的击穿现象，齐纳击穿、雪崩击穿和热电击穿。
齐纳击穿：当施加于PN结上的反向电压达到某个特定值时，强电场作用下电子从价带直接跃迁到导带，导致电流急剧增加。主要发生在相对较低的电压范围内，掺杂浓度非常高的PN结中。齐纳二极管利用这一原理，常用于稳压电路。
雪崩击穿：当PN结承受足够大的反向电压时，自由载流子（电子-空穴对）在强电场作用下加速运动，并通过碰撞产生更多的自由载流子，从而形成连锁反应。相对于齐纳击穿，它需要更高的临界电压，击穿过程中伴随有明显的温度升高。
理论上任何二极管都可能发生雪崩击穿，某些情况下会被设计用来保护电路免受过电压损害。
热电击穿：当半导体材料内部因局部过热而引发不可逆损伤或永久性破坏。可能是长时间处于超过额定条件下的工作状态等引起。一旦发生，器件往往会完全失效。
今天的分享就到这里啦，EBYTE每一天都致力于更好的助力物联化、智能化、自动化的发展，提升资源利用率，更多串口服务器、数传电台、lora模块等无线数传模块产品更多资料，感兴趣的小伙伴可以登录我们的亿佰特官网进行了解，也可以直接拨打400电话咨询技术专员！
相关阅读：
