闪存是一种非易失性、可编程、基于芯片的高速存储技术，即使断电也能保留数据。闪存有两种类型：分别是NAND和NOR。
闪存将数据存储在由金属氧化物半导体是浮栅晶体管（FGT）定义的存储单元阵列中，该晶体管存储二进制数据 1 或 0。每个晶体管都有两个栅极，分别是控制栅极和浮动栅极。
与DRAM内存不同，NAND在断电后也能够储存数据。闪存断电时，浮栅晶体管 (FGT) 的金属氧化物半导体会向存储单元供电，保持数据的完整性。NAND单元阵列存储1到4位数据。
常见的NAND闪存类型有SLC、MLC、TLC和3D NAND。垂直堆叠单元的3D NAND拥有更高的性能、密度。
SLC：单级单元，SLC NAND每个单元存储一位信息。SLC NAND具有相比于同类产品中最高的耐用性，同时SLC NAND 是当今市场上价格最贵的闪存。
MLC：多级单元，MLC NAND每个单元存储两位信息。与SLC NAND相比，提高了单元存储数据量，从而降低了单元数据储存的成本，但是降低了耐用率。
TLC：三级单元，TLC NAND每个单元存储三位，从而降低成本和耐用性并增加容量。它的耐用率较低，是最便宜的闪存类型，主要用于消费级电子产品。
QLC：四级单元，QLC NAND每个单元存储四位，从而创建更高密度和大容量的存储设备。QLC NAND具有较低的读取延迟，更适合机器学习、人工智能 (AI)、大数据等应用程序的数据读取操作，但是耐用性更差，价格也会更便宜。
3D NAND：为了提高NAND设备的容量，3D NAND通过垂直堆叠多层存储单元来提高容量并降低成本，3D NAND设备实现了更高的密度和更低的功耗、更快的读写速度以及更高的耐用性。
NOR Flash是第一种面世的闪存。NOR闪存芯片上的单元彼此平行排列，因此读取效率高，但写入速度慢，常用于代码一次编写、多次读取的应用场景。
市场占比：NAND闪存的使用量远远超过 NOR闪存。
读取性能：NOR闪存的读取速度比NAND闪存快。
写入、擦除性能：与读取性能相反，NAND芯片的写入和擦除速度比NOR器件更快。
耐用性：与 NAND存储器相比，NOR闪存具有更高的耐用性。
存储密度：NOR存储器的密度低于同等的 NAND 闪存芯片。
NOR Flash闪存通常用于消费电子、物联网、车载与工业领域，而NAND用于数码相机、智能手机、平板电脑、储存卡、固态硬盘和计算机中。
尽管NAND闪存是当前最流行的闪存类型，但NOR闪存仍有自己的技术优势。目前SK海力士宣布通过321层4D NAND样品发布，预计2025年上半年实现量产，随着闪存技术的不断发展，我们在未来能够使用上性能更好，价格更实惠的闪存产品。
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