光刻机将成为历史！
前不久麻省理工华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维（2D）材料制造成功的原子晶体管，每个晶体管只有3个原子的厚度，堆叠起来制成的芯片工艺将轻松突破1nm！
目前的半导体芯片都是在晶圆上通过光刻/蚀刻等工艺加工出来的三维立体结构，所以堆叠多层晶体管以实现更密集的集成是非常困难的。先进制程工艺的发展也在1~3nm这里停顿了很长一段时间。
但是由超薄2D材料制成的半导体晶体管，单个只有3个原子的厚度，可以大量堆叠起来制造更强大的芯片，配合一种不会损坏芯片的低温生成工艺，可直接将2D半导体晶体管集成在标准硅电路之上。
该技术不需要光刻机就可以使芯片轻松突破1nm工艺，且能减少芯片生成时间，降低生产成本。若光刻机技术长时间无法突破1nm工艺，那么光刻机或许就会成为历史。
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