二极管的伏安特性是指二极管在不同电压下的电流-电压关系。
当二极管正向偏置（即阳极接正电压，阴极接负电压）时，随着电压的增加，电流也会增加。正向特性的主要特点：在正向电压超过死区电压后，电流迅速增加。
死区电压（Vth）：在正向电压较小时，二极管的电流非常小，几乎为零。这个电压称为死区电压或开启电压。硅二极管典型的死区电压约为0.6~0.7V；锗二极管约为0.2~0.3V。
正向导通：当正向电压超过死区电压后，二极管开始导通，电流迅速增加。此时，二极管的电压降保持在一个相对稳定的值（硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V）。
当二极管反向偏置（即阳极接负电压，阴极接正电压）时，二极管处于截止状态，只有很小的反向饱和电流。反向特性的主要特点：反向电压较小时，电流几乎为常数（反向饱和电流）。当反向电压超过击穿电压时，电流急剧增加。
反向饱和电流（Is）：在反向电压较小时，二极管的反向电流非常小，几乎为常数。反向饱和电流的大小通常在几皮安到几微安之间。
击穿电压（VBR）：当反向电压超过一定值时，二极管会发生雪崩击穿，反向电流急剧增加。击穿电压取决于二极管的材料和结构，通常在几十伏到几百伏之间。
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